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          當前位置:首頁產品中心半導體專業檢測設備晶圓形貌測量系統WD4000無圖晶圓幾何量測系統
          WD4000無圖晶圓幾何量測系統

          產品簡介

          WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能。

          產品型號:
          更新時間:2024-05-13
          廠商性質:生產廠家
          訪問量:1100
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          WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

          1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時生成Mapping圖;

          2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數;

          3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能;

          4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

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          測量功能

          1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

          2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

          3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。

          4、WD4000無圖晶圓幾何量測系統提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。


          部分技術規格

          品牌:CHOTEST中圖儀器

          型號:WD4000系列


          厚度和翹曲度測量系統

          可測材料:砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

          測量范圍:150μm~2000μm

          掃描方式:Fullmap面掃、米字、自由多點

          測量參數:厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度


          三維顯微形貌測量系統

          測量原理:白光干涉

          干涉物鏡:10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個)

          可測樣品反射率:0.05%~100%

          粗糙度RMS重復性:0.005nm

          測量參數:顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數


          膜厚測量系統

          測量范圍:90um(n= 1.5)

          景深:1200um

          最小可測厚度:0.4um


          紅外干涉測量系統

          光源:SLED

          測量范圍:37-1850um


          晶圓尺寸:4"、6"、8"、12"

          晶圓載臺:防靜電鏤空真空吸盤載臺

          X/Y/Z工作臺行程:400mm/400mm/75mm

          如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯系中圖儀器咨詢。


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          應用場景

          1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

          無圖晶圓厚度、翹曲度的測量.jpg

          通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。


          2、無圖晶圓粗糙度測量

          無圖晶圓粗糙度測量.jpg

          Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。

          懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。

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